SIHS90N65E-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SIHS90N65E-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIHS90N65E-GE3-DG

Descripción:

E SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 87A (Tc) 625W (Tc) Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)

Inventario:

233 Pcs Nuevos Originales En Stock
12949194
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SIHS90N65E-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
E
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
87A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
29mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
591 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11826 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
625W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
SUPER-247™ (TO-274AA)
Paquete / Caja
TO-274AA

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
30
Otros nombres
742-SIHS90N65E-GE3

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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