Número de Producto del Fabricante:
SIHU4N80AE-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHU4N80AE-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Inventario:
2995 Pcs Nuevos Originales En Stock
12786674
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ENVIAR
SIHU4N80AE-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
E
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.27Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
622 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
IPAK (TO-251)
Paquete / Caja
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Número de producto base
SIHU4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
2266-SIHU4N80AE-GE3
SIHU4N80AE-GE3-DG
742-SIHU4N80AE-GE3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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