Número de Producto del Fabricante:
SIJH600E-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIJH600E-T1-GE3-DG
Descripción:
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 37A (Ta), 373A (Tc) 3.3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Inventario:
876 Pcs Nuevos Originales En Stock
12967435
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ENVIAR
SIJH600E-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
37A (Ta), 373A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
0.92mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
212 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9950 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.3W (Ta), 333W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 8 x 8
Paquete / Caja
PowerPAK® 8 x 8
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
742-SIJH600E-T1-GE3DKR
742-SIJH600E-T1-GE3CT
742-SIJH600E-T1-GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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