Número de Producto del Fabricante:
SIR472DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIR472DP-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 20A (Tc) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
12786733
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SIR472DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12mOhm @ 13.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
820 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SIR472
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIR472DP-T1-GE3DKR
SIR472DPT1GE3
SIR472DP-T1-GE3TR
SIR472DP-T1-GE3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BSC120N03MSGATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
28843
NÚMERO DE PIEZA
BSC120N03MSGATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.19
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
CSD17327Q5A
FABRICANTE
Texas Instruments
CANTIDAD DISPONIBLE
2500
NÚMERO DE PIEZA
CSD17327Q5A-DG
PRECIO UNITARIO
0.33
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
RS1E130GNTB
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
1178
NÚMERO DE PIEZA
RS1E130GNTB-DG
PRECIO UNITARIO
0.16
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
BSC120N03LSGATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
33689
NÚMERO DE PIEZA
BSC120N03LSGATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.17
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
SQ2398ES-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
SQJ463EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
SIR606BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK