Número de Producto del Fabricante:
SIR802DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIR802DP-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 30A (Tc) 4.6W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
12919687
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ENVIAR
SIR802DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1785 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
4.6W (Ta), 27.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SIR802
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIR802DP-T1-GE3CT
SIR802DP-T1-GE3DKR
SIR802DPT1GE3
SIR802DP-T1-GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BSC046N02KSGAUMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
19920
NÚMERO DE PIEZA
BSC046N02KSGAUMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.55
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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