Número de Producto del Fabricante:
SIRA20BDP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIRA20BDP-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 82A (Ta), 335A (Tc) 6.3W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
10195 Pcs Nuevos Originales En Stock
12948261
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ENVIAR
SIRA20BDP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
82A (Ta), 335A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
0.58mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
186 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+16V, -12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9950 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
6.3W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SIRA20
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SIRA20BDP-T1-GE3TR
742-SIRA20BDP-T1-GE3DKR
742-SIRA20BDP-T1-GE3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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