Número de Producto del Fabricante:
SIRA28BDP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIRA28BDP-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 38A (Tc) 3.8W (Ta), 17W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
6527 Pcs Nuevos Originales En Stock
12917487
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SIRA28BDP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Ta), 38A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
582 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 17W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SIRA28
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIRA28BDP-T1-GE3CT
SIRA28BDP-T1-GE3TR
SIRA28BDP-T1-GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SISH615ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
SIR878BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK
SQM50N04-4M0L_GE3
MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263
