Número de Producto del Fabricante:
SIS612EDNT-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIS612EDNT-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK1212-8S
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 50A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventario:
12786535
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ENVIAR
SIS612EDNT-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.9mOhm @ 14A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2060 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 1212-8S
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8S
Número de producto base
SIS612
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIS612EDNT-T1-GE3-DG
SIS612EDNT-T1-GE3CT
SIS612EDNT-T1-GE3TR
SIS612EDNT-T1-GE3DKR
Q8619879
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SISA26DN-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
5682
NÚMERO DE PIEZA
SISA26DN-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.25
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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