Número de Producto del Fabricante:
SIS626DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIS626DN-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 16A PPAK1212-8
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 16A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventario:
12786279
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SIS626DN-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1925 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8
Número de producto base
SIS626
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SISH112DN-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
5870
NÚMERO DE PIEZA
SISH112DN-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.51
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
SIHG17N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
SIR108DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK
SQD50N04-09H-GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
