Número de Producto del Fabricante:
SIS782DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIS782DN-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 16A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventario:
8980 Pcs Nuevos Originales En Stock
12954591
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SIS782DN-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
30.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1025 pF @ 15 V
Función FET
Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (máx.)
41W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8
Número de producto base
SIS782
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIS782DN-T1-GE3DKR
SIS782DN-T1-GE3CT
SIS782DN-T1-GE3TR
SIS782DN-T1-GE3-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
AOTS21313C
MOSFET P-CH 30V 7.3A 6TSOP
AOB360A70L
MOSFET N-CH 700V 12A TO263
IAUC100N04S6L020ATMA1
IAUC100N04S6L020ATMA1
