Número de Producto del Fabricante:
SIS932EDN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIS932EDN-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 6A (Tc) 2.6W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Inventario:
5843 Pcs Nuevos Originales En Stock
12786793
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ENVIAR
SIS932EDN-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
22mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1000pF @ 15V
Potencia - Máx.
2.6W (Ta), 23W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8 Dual
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 1212-8 Dual
Número de producto base
SIS932
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIS932EDN-T1-GE3TR
SIS932EDN-T1-GE3CT
SIS932EDN-T1-GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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