Número de Producto del Fabricante:
SISS66DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SISS66DN-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 49.1A (Ta), 178.3A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventario:
5690 Pcs Nuevos Originales En Stock
12916977
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ENVIAR
SISS66DN-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
49.1A (Ta), 178.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.38mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
85.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3327 pF @ 15 V
Función FET
Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (máx.)
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 1212-8S
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8S
Número de producto base
SISS66
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SISS66DN-T1-GE3TR
742-SISS66DN-T1-GE3TR
SISS66DN-T1-GE3CT
742-SISS66DN-T1-GE3CT
SISS66DN-T1-GE3DKR-DG
SISS66DN-T1-GE3DKR
SISS66DN-T1-GE3TR-DG
SISS66DN-T1-GE3CT-DG
2266-SISS66DN-T1-GE3TR
742-SISS66DN-T1-GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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