Número de Producto del Fabricante:
SIZ710DT-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIZ710DT-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair™
Inventario:
16612 Pcs Nuevos Originales En Stock
12916635
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SIZ710DT-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16A, 35A
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.8mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
820pF @ 10V
Potencia - Máx.
27W, 48W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-PowerPair™
Paquete de dispositivos del proveedor
6-PowerPair™
Número de producto base
SIZ710
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIZ710DT-T1-GE3TR
SIZ710DT-T1-GE3DKR
SIZ710DTT1GE3
SIZ710DT-T1-GE3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SMMA511DJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
SIA907EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V SMD
SIA975DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
