SQ4949EY-T1_GE3
Número de Producto del Fabricante:

SQ4949EY-T1_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SQ4949EY-T1_GE3-DG

Descripción:

MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 7.5A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

46149 Pcs Nuevos Originales En Stock
12786257
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SQ4949EY-T1_GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 P-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.5A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
35mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
30nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1020pF @ 25V
Potencia - Máx.
3.3W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Número de producto base
SQ4949

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SQ4949EY-T1_GE3DKR
SQ4949EY-T1_GE3CT
SQ4949EY-T1_GE3TR
SQ4949EY-T1_GE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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