Número de Producto del Fabricante:
SQD50P03-07_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SQD50P03-07_GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12915940
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ENVIAR
SQD50P03-07_GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
146 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5490 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
SQD50
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
SQD50P03-07_GE3-DG
SQD50P03-07_GE3TR
SQD50P03-07_GE3CT
SQD50P03-07_GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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