SQJ204EP-T1_GE3
Número de Producto del Fabricante:

SQJ204EP-T1_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SQJ204EP-T1_GE3-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Descripción Detallada:
Mosfet Array 12V 20A (Tc), 60A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

Inventario:

9000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12916278
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SQJ204EP-T1_GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc), 60A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Potencia - Máx.
27W (Tc), 48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Número de producto base
SQJ204

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SQJ204EP-T1_GE3DKR
SQJ204EP-T1_GE3CT
SQJ204EP-T1_GE3TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SIA918EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6

vishay-siliconix

SQ1922EEH-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6

vishay-siliconix

SI9934BDY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC

vishay-siliconix

SI4501ADY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V/8V 6.3A 8SOIC