Número de Producto del Fabricante:
SQJ431AEP-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SQJ431AEP-T1_GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Descripción Detallada:
P-Channel 200 V 9.4A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
12965817
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ENVIAR
SQJ431AEP-T1_GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
305mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3700 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SQJ431
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SQJ431AEP-T1_GE3TR
SQJ431AEP-T1_GE3CT
SQJ431AEP-T1_GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SQJ431AEP-T1_BE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
5335
NÚMERO DE PIEZA
SQJ431AEP-T1_BE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.61
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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