SQJ460AEP-T1_BE3
Número de Producto del Fabricante:

SQJ460AEP-T1_BE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SQJ460AEP-T1_BE3-DG

Descripción:

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 58A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventario:

5888 Pcs Nuevos Originales En Stock
12977845
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SQJ460AEP-T1_BE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
58A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.7mOhm @ 10.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2654 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SQJ460AEP-T1_BE3CT
742-SQJ460AEP-T1_BE3TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

IRFZ48STRLPBF

MOSFET N-CHANNEL 60V

vishay-siliconix

SI2312BDS-T1-BE3

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SIHD14N60ET5-GE3

N-CHANNEL 600V

vishay-siliconix

SQJ850EP-T2_GE3

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET