Número de Producto del Fabricante:
SQJA86EP-T1_BE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SQJA86EP-T1_BE3-DG
Descripción:
N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 30A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventario:
5539 Pcs Nuevos Originales En Stock
12987470
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SQJA86EP-T1_BE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
19mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8 Dual
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SQJA86EP-T1_BE3TR
742-SQJA86EP-T1_BE3CT
742-SQJA86EP-T1_BE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
NVTFWS040N10MCLTAG
PTNG 100V LL U8FL
SIDR870ADP-T1-RE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
TSM2N7002KCU
60V, 0.24A, SINGLE N-CHANNEL POW
