Número de Producto del Fabricante:
SQS181ELNW-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SQS181ELNW-T1_GE3-DG
Descripción:
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)
Descripción Detallada:
P-Channel 80 V 44A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerPAK® 1212-8SLW
Inventario:
2717 Pcs Nuevos Originales En Stock
13002680
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SQS181ELNW-T1_GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
44A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
31mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2771 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
119W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 1212-8SLW
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8SLW
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SQS181ELNW-T1_GE3DKR
742-SQS181ELNW-T1_GE3CT
742-SQS181ELNW-T1_GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
NVLJWS011N06CLTAG
T6 60V LL 2X2 WDFNW6
ISZ15EP15LMATMA1
TRENCH >=100V
PMPB10R3XNX
SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
