Número de Producto del Fabricante:
SQS482ENW-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SQS482ENW-T1_GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 16A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
Inventario:
12916327
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SQS482ENW-T1_GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 16.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1865 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
62W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 1212-8W
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8W
Número de producto base
SQS482
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SQS482ENW-T1_GE3TR
SQS482ENW-T1_GE3CT
SQS482ENW-T1_GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SUM110N04-2M1P-E3
MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263
SIS476DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
SIHG28N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 28A TO247AC
