SQUN702E-T1_GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel, Common Drain
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40V, 200V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc), 20A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23nC @ 20V, 14nC @ 20V, 30.2nC @ 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1474pF @ 20V, 1450pF @ 20V, 1302pF @ 100V
Potencia - Máx.
48W (Tc), 60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
Die
Número de producto base
SQUN702
Hoja de Datos y Documentos
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Certificación DIGI
Productos relacionados