SUD08P06-155L-T4E3
Número de Producto del Fabricante:

SUD08P06-155L-T4E3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SUD08P06-155L-T4E3-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 8.4A (Tc) 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

12920506
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SUD08P06-155L-T4E3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
155mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
450 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
SUD08

Información Adicional

Paquete Estándar
2,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
SUD08P06-155L-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
18214
NÚMERO DE PIEZA
SUD08P06-155L-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.34
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SIR826DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIS322DNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8

onsemi

FQP85N06

MOSFET N-CH 60V 85A TO220-3

vishay-siliconix

SIHB24N65EF-GE3

MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK