Número de Producto del Fabricante:
SUD09P10-195-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SUD09P10-195-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 8.8A (Tc) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
30863 Pcs Nuevos Originales En Stock
12918447
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SUD09P10-195-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
195mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
34.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1055 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
SUD09
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
SUD09P10-195-GE3CT
SUD09P10-195-GE3TR
SUD09P10195GE3
SUD09P10-195-GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI3434DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
SQJ414EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
SQJA80EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
