Número de Producto del Fabricante:
SUD19P06-60-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SUD19P06-60-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 18.3A (Tc) 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
72806 Pcs Nuevos Originales En Stock
12919827
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ENVIAR
SUD19P06-60-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
60mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1710 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
SUD19
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
SUD19P06-60-GE3TR
SUD19P06-60-GE3CT
SUD19P0660GE3
SUD19P06-60-GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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