Número de Producto del Fabricante:
SUG90090E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SUG90090E-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 100A (Tc) 395W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventario:
12918255
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ENVIAR
SUG90090E-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
ThunderFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
129 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5220 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
395W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AC
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SUG90090
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Otros nombres
SUG90090E-GE3DKRINACTIVE
SUG90090E-GE3CTINACTIVE
SUG90090E-GE3DKR
SUG90090E-GE3TR
742-SUG90090E-GE3
SUG90090E-GE3TR-DG
SUG90090E-GE3CT
SUG90090E-GE3CT-DG
SUG90090E-GE3DKR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFP4668PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
8420
NÚMERO DE PIEZA
IRFP4668PBF-DG
PRECIO UNITARIO
4.38
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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