Número de Producto del Fabricante:
SUM110N10-09-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SUM110N10-09-E3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
4811 Pcs Nuevos Originales En Stock
12786476
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SUM110N10-09-E3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
110A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6700 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.75W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
SUM110
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
SUM110N1009E3
SUM110N10-09-E3-DG
SUM110N10-09-E3CT
SUM110N10-09-E3DKR
SUM110N10-09-E3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SQD90P04-9M4L_GE3
MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
SIHB24N65ET5-GE3
MOSFET N-CH 650V 24A TO263
SIS454DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
