Número de Producto del Fabricante:
SUP25P10-138-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SUP25P10-138-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 16.3A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 16.3A (Tc) 3.1W (Ta), 73.5W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
12916054
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ENVIAR
SUP25P10-138-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13.8mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2100 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 73.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
SUP25
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFB4610PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
936
NÚMERO DE PIEZA
IRFB4610PBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.89
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
HUF75645P3
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
1488
NÚMERO DE PIEZA
HUF75645P3-DG
PRECIO UNITARIO
1.15
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPP12CN10LGXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
886
NÚMERO DE PIEZA
IPP12CN10LGXKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.73
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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