Número de Producto del Fabricante:
VQ1001P-2
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
VQ1001P-2-DG
Descripción:
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP
Inventario:
12787764
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ENVIAR
VQ1001P-2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
4 N-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
830mA
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.75Ohm @ 200mA, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
110pF @ 15V
Potencia - Máx.
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
-
Paquete de dispositivos del proveedor
14-DIP
Número de producto base
VQ1001
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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