IRF830AL
Número de Producto del Fabricante:

IRF830AL

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

IRF830AL-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventario:

13049710
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IRF830AL Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
-
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
620 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
IRF830

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
*IRF830AL

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IRF830ALPBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IRF830ALPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.89
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay

2N6661JTXP02

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

vishay

IRF610STRRPBF

MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK

vishay

IRF840SPBF

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

vishay

IRF540STRRPBF

MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK