Número de Producto del Fabricante:
IRFIBF30GPBF
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
IRFIBF30GPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 900 V 1.9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
888 Pcs Nuevos Originales En Stock
13054080
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ENVIAR
IRFIBF30GPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.7Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1200 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número de producto base
IRFIBF30
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
742-IRFIBF30GPBF
IRFIBF30GPBF-ND
*IRFIBF30GPBF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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