Número de Producto del Fabricante:
SI1417EDH-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI1417EDH-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 2.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-70-6
Inventario:
13059570
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ENVIAR
SI1417EDH-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
85mOhm @ 3.3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
450mV @ 250µA (Min)
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SC-70-6
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Número de producto base
SI1417
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI1417EDH-T1-GE3DKR
SI1417EDH-T1-GE3CT
SI1417EDHT1GE3
SI1417EDH-T1-GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SI1441EDH-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
SI1441EDH-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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