Número de Producto del Fabricante:
SI3475DV-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI3475DV-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
Descripción Detallada:
P-Channel 200 V 950mA (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventario:
13057239
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ENVIAR
SI3475DV-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
-
Embalaje
Cut Tape (CT)
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
950mA (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.61Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
500 pF @ 50 V
Función FET
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número de producto base
SI3475
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI3475DV-T1-GE3DKR
SI3475DV-T1-GE3CT
SI3475DV-T1-GE3TR
Q9162672
SI3475DVT1GE3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SI3437DV-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
14589
NÚMERO DE PIEZA
SI3437DV-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.28
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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