Número de Producto del Fabricante:
SI3812DV-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI3812DV-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 2A (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventario:
13060452
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ENVIAR
SI3812DV-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
LITTLE FOOT®
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
125mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
600mV @ 250µA (Min)
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
830mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número de producto base
SI3812
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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