Número de Producto del Fabricante:
SI4010DY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI4010DY-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 31.3A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
13060017
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ENVIAR
SI4010DY-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
31.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.4mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3595 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
SI4010
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SI4010DY-T1-GE3CT
SI4010DY-T1-GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SI4166DY-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
5435
NÚMERO DE PIEZA
SI4166DY-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.50
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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