Número de Producto del Fabricante:
SI4442DY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI4442DY-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 15A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
13060790
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ENVIAR
SI4442DY-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
15A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
50 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
SI4442
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF7832TRPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
13071
NÚMERO DE PIEZA
IRF7832TRPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.57
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
FDS8870
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
2621
NÚMERO DE PIEZA
FDS8870-DG
PRECIO UNITARIO
0.66
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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