Número de Producto del Fabricante:
SI4590DY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI4590DY-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 100V 3.4A 8SOIC
Descripción Detallada:
Mosfet Array 100V 3.4A, 2.8A 2.4W, 3.4W Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
3481 Pcs Nuevos Originales En Stock
13057553
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ENVIAR
SI4590DY-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Last Time Buy
Tecnología
-
Configuración
N and P-Channel
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.4A, 2.8A
rds activados (máx.) @ id, vgs
57mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
360pF @ 50V
Potencia - Máx.
2.4W, 3.4W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Número de producto base
SI4590
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SI4590DY-T1-GE3TR
SI4590DY-T1-GE3DKR
SI4590DY-T1-GE3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SP8M51HZGTB
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
1068
NÚMERO DE PIEZA
SP8M51HZGTB-DG
PRECIO UNITARIO
0.64
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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