SIA413ADJ-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SIA413ADJ-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIA413ADJ-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 12A (Tc) 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single

Inventario:

2900 Pcs Nuevos Originales En Stock
13058898
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SIA413ADJ-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
29mOhm @ 6.7A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
57 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1800 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
19W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SC-70-6 Single
Paquete / Caja
PowerPAK® SC-70-6
Número de producto base
SIA413

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIA413ADJ-T1-GE3DKR
SIA413ADJ-T1-GE3TR
SIA413ADJ-T1-GE3-ND
SIA413ADJ-T1-GE3CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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