Número de Producto del Fabricante:
SIHH11N65E-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHH11N65E-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 12A PPAK 8 X 8
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Inventario:
13007559
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ENVIAR
SIHH11N65E-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
363mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1257 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 8 x 8
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
SIHH11
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Certificación DIGI
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