Número de Producto del Fabricante:
SISS12DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SISS12DN-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 37.5A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventario:
13057916
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SISS12DN-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
37.5A (Ta), 60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.98mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4270 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 1212-8S
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8S
Número de producto base
SISS12
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SISS12DN-T1-GE3TR
SISS12DN-T1-GE3CT
SISS12DN-T1-GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI7818DN-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
SIJA52ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
SI7423DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8