Número de Producto del Fabricante:
E3M0045065K
Product Overview
Fabricante:
Wolfspeed, Inc.
Número de pieza:
E3M0045065K-DG
Descripción:
SIC, MOSFET, 45M, 650V, TO-247-4
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 46A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventario:
13005823
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
E3M0045065K Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Wolfspeed
Embalaje
Tube
Serie
E
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
46A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V
rds activados (máx.) @ id, vgs
60mOhm @ 17.6A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
3.6V @ 4.84mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
64 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
+19V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1593 pF @ 400 V
Disipación de potencia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4L
Paquete / Caja
TO-247-4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
1697-E3M0045065K
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
C3M0350120J-TR
SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-
GAN190-650FBEZ
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
STW65N023M9-4
N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
