Número de Producto del Fabricante:
WAS530M12BM3
Product Overview
Fabricante:
Wolfspeed, Inc.
Número de pieza:
WAS530M12BM3-DG
Descripción:
SIC 2N-CH 1200V 630A
Descripción Detallada:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 630A (Tc) Chassis Mount
Inventario:
12988031
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ENVIAR
WAS530M12BM3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Wolfspeed
Embalaje
Box
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Configuración
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
630A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.47mOhm @ 530A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
3.6V @ 127mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1362nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
38900pF @ 800V
Potencia - Máx.
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Caja
Module
Paquete de dispositivos del proveedor
-
Número de producto base
WAS530
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
-3312-WAS530M12BM3
1697-WAS530M12BM3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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