AOI21357
Número de Producto del Fabricante:

AOI21357

Product Overview

Fabricante:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Número de pieza:

AOI21357-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 30V 23A/70A TO251A
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 23A (Ta), 70A (Tc) 6.2W (Ta), 78W (Tc) Through Hole TO-251A

Inventario:

688 Pcs Nuevos Originales En Stock
12930716
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AOI21357 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
23A (Ta), 70A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2830 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
6.2W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251A
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número de producto base
AOI21

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
70
Otros nombres
785-1836
AOI21357-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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