DMN2009UFDF-7

Número de Producto del Fabricante:

DMN2009UFDF-7

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMN2009UFDF-7-DG

Descripción:

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6

Descripción Detallada:

N-Channel 20 V 12.8A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Inventario:

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13002570

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DMN2009UFDF-7 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Diodes Incorporated

Embalaje

Bulk

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

20 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

12.8A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

2.5V, 4.5V

rds activados (máx.) @ id, vgs

9mOhm @ 8.5A, 4.5V

vgs(th) (máx.) @ id

1.4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

27.9 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±12V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1083 pF @ 10 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

1.3W (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

U-DFN2020-6 (Type F)

Paquete / Caja

6-UDFN Exposed Pad

Número de producto base

DMN2009

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

DMN2009UFDF-7-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

3,000

Otros nombres

31-DMN2009UFDF-7

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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