Número de Producto del Fabricante:
ZXMN2A04DN8TA
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
ZXMN2A04DN8TA-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 5.9A 1.8W Surface Mount 8-SO
Inventario:
584 Pcs Nuevos Originales En Stock
12904074
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ENVIAR
ZXMN2A04DN8TA Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.9A
rds activados (máx.) @ id, vgs
25mOhm @ 5.9A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
700mV @ 250µA (Min)
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22.1nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1880pF @ 10V
Potencia - Máx.
1.8W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Número de producto base
ZXMN2
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
ZXMN2A04DN8CT-NDR
ZXMN2A04DN8CT
ZXMN2A04DN8DKRINACTIVE
ZXMN2A04DN8TR
ZXMN2A04DN8DKR-DG
ZXMN2A04DN8TR-NDR
ZXMN2A04DN8DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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