Número de Producto del Fabricante:
FCH110N65F-F155
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FCH110N65F-F155-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
69 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946290
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ENVIAR
FCH110N65F-F155 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
FRFET®, SuperFET® II
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
110mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 3.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4895 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
357W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
69
Otros nombres
2156-FCH110N65F-F155
ONSFSCFCH110N65F-F155
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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