FDB86102LZ
Número de Producto del Fabricante:

FDB86102LZ

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FDB86102LZ-DG

Descripción:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 8.3A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

6118 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946803
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FDB86102LZ Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.3A (Ta), 30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
24mOhm @ 8.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1275 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FDB86102LZ Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
345
Otros nombres
ONSONSFDB86102LZ
2156-FDB86102LZ

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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