Número de Producto del Fabricante:
FQA27N25
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FQA27N25-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 27A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventario:
237 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946804
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ENVIAR
FQA27N25 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
27A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
110mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2450 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
210W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3PN
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
189
Otros nombres
2156-FQA27N25
ONSONSFQA27N25
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
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