Número de Producto del Fabricante:
FDMS4435BZ
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDMS4435BZ-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 9A (Ta), 18A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventario:
1500 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946810
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ENVIAR
FDMS4435BZ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Ta), 18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
20mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2050 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
532
Otros nombres
ONSONSFDMS4435BZ
2156-FDMS4435BZ
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
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