Número de Producto del Fabricante:
FDD6688S
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDD6688S-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 88A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 88A (Ta) 69W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
6966 Pcs Nuevos Originales En Stock
13076004
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDD6688S Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Embalaje
Bulk
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
88A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.1mOhm @ 18.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3290 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
69W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
217
Otros nombres
2156-FDD6688S
FAIFSCFDD6688S
2156-FDD6688S-FSTR-ND
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
FDB5645
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
HUF75623P3
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
FDS6299S
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
